Reverse tip sample scanning probe microscopy
Elektroniikan komponenttien laskentateho kasvaa jatkuvasti samalla kun niiden koko pienenee. Kaikista kehittyneimpien transistorien koko on nykypäivänä jo alle kymmenen nanometrin. Näiden transistorien rakenne on rajoittunut kolmeen ulottuvuuteen, jonka takia kaksiulotteisia karakterisointimenetelmi...
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Muut tekijät: | , , , , , |
| Aineistotyyppi: | Pro gradu |
| Kieli: | eng |
| Julkaistu: |
2020
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/70952 |