A 67 μW, 1.2 V, low area 22-nm CMOS PTAT bias reference current source

A 67 μW, 1.2 V, low area 22-nm CMOS PTAT bias reference current source

A Proportional To Absolute Temperature (PTAT) current source is designed in 22 nm CMOS process technology while emphasizing on power consumption, temperature coefficient, line sensitivity, PSRR, and noise performance. The analysis of power consumption across varying supply voltage from 1 V to 1.4 V...

Täydet tiedot

Bibliografiset tiedot
Päätekijä: BHOSALE, YOGESH
Muut tekijät: Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta, Faculty of Sciences, Fysiikan laitos, Department of Physics, Jyväskylän yliopisto, University of Jyväskylä
Aineistotyyppi: Pro gradu
Kieli:eng
Julkaistu: 2024
Aiheet:
PTAT current source
reference current
bias current
resistor trimming
Soveltava fysiikka
Applied Physics
4023
lämpötila
sähkötekniikka
temperature
electrical engineering
Linkit: https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/97277

Samankaltaisia teoksia