Siirry sisältöön
University of Jyväskylä | Opinnäytehaku
  • Kieli
    • Suomi
    • English
University of Jyväskylä | Opinnäytehaku
Kieli
  • Suomi
  • English
Tarkennettu
  • Ionilähdelaitteiston kehitys s...
  • Sitaatti
  • Tulosta
  • Vie tietue
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
Ionilähdelaitteiston kehitys säteilytystestausta varten

Ionilähdelaitteiston kehitys säteilytystestausta varten

Näytä muut versiot (1)
Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Kalvas, Taneli
Muut tekijät: Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta, Faculty of Sciences, Fysiikan laitos, Department of Physics, University of Jyväskylä, Jyväskylän yliopisto
Aineistotyyppi: Pro gradu
Kieli:fin
Julkaistu: 2003
Aiheet:
402
elektroniset piirit
hiukkassäteily
ionisoiva säteily
avaruustekniikka
Linkit: https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/8180
  • Saatavuustiedot
  • Kuvaus
  • Muut versiot (1)
  • Henkilökuntanäyttö

Internet

https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/8180

Samankaltaisia teoksia

  • Ionilähdelaitteiston kehitys säteilytystestausta varten
    Tekijä: Kalvas, Taneli
    Julkaistu: (2003)
  • Single-event radiation effects in silicon carbide power MOSFETs
    Tekijä: Martinella, Corinna, kirjoittaja
    Julkaistu: (2021)
  • Single-event radiation effects in hardened and state-of-the-art components for space and high-energy accelerator applications
    Tekijä: Tali, Maris, kirjoittaja
    Julkaistu: (2019)
  • On bounding approach for timing simulation of digital integrated circuits
    Tekijä: Santanen, Jukka-Pekka
    Julkaistu: (1994)
  • Delay line design for high-resolution time-to-digital converters
    Tekijä: Khoruzhenko, Olha
    Julkaistu: (2024)

Hakuvaihtoehdot

  • Hakuhistoria
  • Tarkennettu haku
  • Uutuusluettelo

Tarvitsetko apua?

  • Hakuohje

Yhteystiedot

  • University of Jyväskylä
  • Avoimen tiedon keskus
  • Saavutettavuusselostus