Rinkiö, M., Science, F. o. M. a., tiedekunta, M., Jyväskylä, U. o., & yliopisto, J. (2009). Carbon nanotube memory devices with high-κ gate dielectrics.
Chicago-viite (17. p.)Rinkiö, Marcus, Faculty of Mathematics and Science, Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta, University of Jyväskylä, ja Jyväskylän yliopisto. Carbon Nanotube Memory Devices with High-κ Gate Dielectrics. 2009.
MLA-viite (9. p.)Rinkiö, Marcus, et al. Carbon Nanotube Memory Devices with High-κ Gate Dielectrics. 2009.
Varoitus: Nämä viitteet eivät aina ole täysin luotettavia.