Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
Piikarbiditehotransistorit (SiC Power MOSFET) ovat materiaaliominaisuuksiensa puolesta houkutteleva vaihtoehto piipohjaisten tehotransistorien korvaajiksi kriittisissä sovelluksissa, kuten satelliiteissa, ydinvoimaloissa ja sairaaloissa. Kaikissa näissä paikoissa esiintyy säteilyä, joka voi vaikutta...
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Muut tekijät: | , , , , , |
| Aineistotyyppi: | Pro gradu |
| Kieli: | fin |
| Julkaistu: |
2021
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/79109 |