Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen

Piikarbiditehotransistorit (SiC Power MOSFET) ovat materiaaliominaisuuksiensa puolesta houkutteleva vaihtoehto piipohjaisten tehotransistorien korvaajiksi kriittisissä sovelluksissa, kuten satelliiteissa, ydinvoimaloissa ja sairaaloissa. Kaikissa näissä paikoissa esiintyy säteilyä, joka voi vaikutta...

Täydet tiedot

Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Lahti, Mikko
Muut tekijät: Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta, Faculty of Sciences, Fysiikan laitos, Department of Physics, Jyväskylän yliopisto, University of Jyväskylä
Aineistotyyppi: Pro gradu
Kieli:fin
Julkaistu: 2021
Aiheet:
Linkit: https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/79109