_version_ 1809901103614001152
annif_keywords_txtF_mv transistorit käyttövarmuus fysiikka sähkötekniikka hematologia
annif_uris_txtF_mv http://www.yso.fi/onto/yso/p16104 http://www.yso.fi/onto/yso/p1628 http://www.yso.fi/onto/yso/p900 http://www.yso.fi/onto/yso/p1585 http://www.yso.fi/onto/yso/p8305
author Lahti, Mikko
author2 Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta Faculty of Sciences Fysiikan laitos Department of Physics Jyväskylän yliopisto University of Jyväskylä Fysiikka Physics 4021
author_facet Lahti, Mikko Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta Faculty of Sciences Fysiikan laitos Department of Physics Jyväskylän yliopisto University of Jyväskylä Fysiikka Physics 4021 Lahti, Mikko
author_sort Lahti, Mikko
building Jyväskylän yliopisto JYX-julkaisuarkisto
datasource_str_mv jyx
department_txtF Fysiikan laitos
faculty_txtF Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta
first_indexed 2021-12-22T21:03:36Z
format Pro gradu
format_ext_str_mv Opinnäyte Pro gradu
free_online_boolean 1
fullrecord <?xml version="1.0"?> <qualifieddc schemaLocation="http://purl.org/dc/terms/ http://dublincore.org/schemas/xmls/qdc/2006/01/06/dcterms.xsd http://purl.org/dc/elements/1.1/ http://dublincore.org/schemas/xmls/qdc/2006/01/06/dc.xsd"><title>Elektronis&#xE4;teilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen</title><creator>Lahti, Mikko</creator><contributor type="tiedekunta" lang="fi">Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta</contributor><contributor type="tiedekunta" lang="en">Faculty of Sciences</contributor><contributor type="laitos" lang="fi">Fysiikan laitos</contributor><contributor type="laitos" lang="en">Department of Physics</contributor><contributor type="yliopisto" lang="fi">Jyv&#xE4;skyl&#xE4;n yliopisto</contributor><contributor type="yliopisto" lang="en">University of Jyv&#xE4;skyl&#xE4;</contributor><contributor type="oppiaine" lang="fi">Fysiikka</contributor><contributor type="oppiaine" lang="en">Physics</contributor><contributor type="oppiainekoodi">4021</contributor><subject type="other">tehotransistori</subject><subject type="other">MOSFET</subject><subject type="other">SiC</subject><subject type="other">piikarbidi</subject><subject type="other">kynnysj&#xE4;nnite</subject><subject type="other">s&#xE4;teily-ymp&#xE4;rist&#xF6;</subject><subject type="yso">transistorit</subject><subject type="yso">s&#xE4;teily</subject><subject type="yso">puolijohteet</subject><subject type="yso">fysiikka</subject><available>2021-12-22T05:25:35Z</available><issued>2021</issued><type lang="fi">Pro gradu -tutkielma</type><type lang="en">Master&#x2019;s thesis</type><identifier type="uri">https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/79109</identifier><identifier type="urn">URN:NBN:fi:jyu-202112226091</identifier><language type="iso">fi</language><rights type="copyright" lang="fi">Julkaisu on tekij&#xE4;noikeuss&#xE4;&#xE4;nn&#xF6;sten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkil&#xF6;kohtaista k&#xE4;ytt&#xF6;&#xE4; varten. K&#xE4;ytt&#xF6; kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.</rights><rights type="copyright" lang="en">This publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.</rights><permaddress type="urn">http://www.urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-202112226091</permaddress><file bundle="ORIGINAL" href="https://jyx.jyu.fi/bitstream/123456789/79109/1/URN%3aNBN%3afi%3ajyu-202112226091.pdf" name="URN:NBN:fi:jyu-202112226091.pdf" type="application/pdf" length="14140820" sequence="1"/><recordID>123456789_79109</recordID></qualifieddc>
id jyx.123456789_79109
language fin
last_indexed 2024-09-03T10:51:34Z
main_date 2021-01-01T00:00:00Z
main_date_str 2021
online_boolean 1
online_urls_str_mv {"url":"https:\/\/jyx.jyu.fi\/bitstream\/123456789\/79109\/1\/URN%3aNBN%3afi%3ajyu-202112226091.pdf","text":"URN:NBN:fi:jyu-202112226091.pdf","source":"jyx","mediaType":"application\/pdf"}
oppiainekoodi_txtF 4021
publication_first_indexed 2021-12-22T21:03:36Z
publishDate 2021
record_format qdc
source_str_mv jyx
spellingShingle Lahti, Mikko Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen tehotransistori MOSFET SiC piikarbidi kynnysjännite säteily-ympäristö transistorit säteily puolijohteet fysiikka
subject_txtF Fysiikka
thumbnail https://jyu.finna.fi/Cover/Show?source=Solr&id=jyx.123456789_79109&index=0&size=large
title Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
title_full Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
title_fullStr Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
title_full_unstemmed Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
title_short Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
title_sort elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
title_txtP Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
topic tehotransistori MOSFET SiC piikarbidi kynnysjännite säteily-ympäristö transistorit säteily puolijohteet fysiikka
topic_facet MOSFET SiC fysiikka kynnysjännite piikarbidi puolijohteet säteily säteily-ympäristö tehotransistori transistorit
url https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/79109 http://www.urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-202112226091
work_keys_str_mv AT lahtimikko elektronisäteilynvaikutuspiikarbiditehotransistorientoimintavarmuuteen