_version_ |
1809901103614001152
|
annif_keywords_txtF_mv |
transistorit
käyttövarmuus
fysiikka
sähkötekniikka
hematologia
|
annif_uris_txtF_mv |
http://www.yso.fi/onto/yso/p16104
http://www.yso.fi/onto/yso/p1628
http://www.yso.fi/onto/yso/p900
http://www.yso.fi/onto/yso/p1585
http://www.yso.fi/onto/yso/p8305
|
author |
Lahti, Mikko
|
author2 |
Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta
Faculty of Sciences
Fysiikan laitos
Department of Physics
Jyväskylän yliopisto
University of Jyväskylä
Fysiikka
Physics
4021
|
author_facet |
Lahti, Mikko
Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta
Faculty of Sciences
Fysiikan laitos
Department of Physics
Jyväskylän yliopisto
University of Jyväskylä
Fysiikka
Physics
4021
Lahti, Mikko
|
author_sort |
Lahti, Mikko
|
building |
Jyväskylän yliopisto
JYX-julkaisuarkisto
|
datasource_str_mv |
jyx
|
department_txtF |
Fysiikan laitos
|
faculty_txtF |
Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta
|
first_indexed |
2021-12-22T21:03:36Z
|
format |
Pro gradu
|
format_ext_str_mv |
Opinnäyte
Pro gradu
|
free_online_boolean |
1
|
fullrecord |
<?xml version="1.0"?>
<qualifieddc schemaLocation="http://purl.org/dc/terms/ http://dublincore.org/schemas/xmls/qdc/2006/01/06/dcterms.xsd http://purl.org/dc/elements/1.1/ http://dublincore.org/schemas/xmls/qdc/2006/01/06/dc.xsd"><title>Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen</title><creator>Lahti, Mikko</creator><contributor type="tiedekunta" lang="fi">Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta</contributor><contributor type="tiedekunta" lang="en">Faculty of Sciences</contributor><contributor type="laitos" lang="fi">Fysiikan laitos</contributor><contributor type="laitos" lang="en">Department of Physics</contributor><contributor type="yliopisto" lang="fi">Jyväskylän yliopisto</contributor><contributor type="yliopisto" lang="en">University of Jyväskylä</contributor><contributor type="oppiaine" lang="fi">Fysiikka</contributor><contributor type="oppiaine" lang="en">Physics</contributor><contributor type="oppiainekoodi">4021</contributor><subject type="other">tehotransistori</subject><subject type="other">MOSFET</subject><subject type="other">SiC</subject><subject type="other">piikarbidi</subject><subject type="other">kynnysjännite</subject><subject type="other">säteily-ympäristö</subject><subject type="yso">transistorit</subject><subject type="yso">säteily</subject><subject type="yso">puolijohteet</subject><subject type="yso">fysiikka</subject><available>2021-12-22T05:25:35Z</available><issued>2021</issued><type lang="fi">Pro gradu -tutkielma</type><type lang="en">Master’s thesis</type><identifier type="uri">https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/79109</identifier><identifier type="urn">URN:NBN:fi:jyu-202112226091</identifier><language type="iso">fi</language><rights type="copyright" lang="fi">Julkaisu on tekijänoikeussäännösten alainen. Teosta voi lukea ja tulostaa henkilökohtaista käyttöä varten. Käyttö kaupallisiin tarkoituksiin on kielletty.</rights><rights type="copyright" lang="en">This publication is copyrighted. You may download, display and print it for Your own personal use. Commercial use is prohibited.</rights><permaddress type="urn">http://www.urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-202112226091</permaddress><file bundle="ORIGINAL" href="https://jyx.jyu.fi/bitstream/123456789/79109/1/URN%3aNBN%3afi%3ajyu-202112226091.pdf" name="URN:NBN:fi:jyu-202112226091.pdf" type="application/pdf" length="14140820" sequence="1"/><recordID>123456789_79109</recordID></qualifieddc>
|
id |
jyx.123456789_79109
|
language |
fin
|
last_indexed |
2024-09-03T10:51:34Z
|
main_date |
2021-01-01T00:00:00Z
|
main_date_str |
2021
|
online_boolean |
1
|
online_urls_str_mv |
{"url":"https:\/\/jyx.jyu.fi\/bitstream\/123456789\/79109\/1\/URN%3aNBN%3afi%3ajyu-202112226091.pdf","text":"URN:NBN:fi:jyu-202112226091.pdf","source":"jyx","mediaType":"application\/pdf"}
|
oppiainekoodi_txtF |
4021
|
publication_first_indexed |
2021-12-22T21:03:36Z
|
publishDate |
2021
|
record_format |
qdc
|
source_str_mv |
jyx
|
spellingShingle |
Lahti, Mikko
Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
tehotransistori
MOSFET
SiC
piikarbidi
kynnysjännite
säteily-ympäristö
transistorit
säteily
puolijohteet
fysiikka
|
subject_txtF |
Fysiikka
|
thumbnail |
https://jyu.finna.fi/Cover/Show?source=Solr&id=jyx.123456789_79109&index=0&size=large
|
title |
Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
|
title_full |
Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
|
title_fullStr |
Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
|
title_full_unstemmed |
Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
|
title_short |
Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
|
title_sort |
elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
|
title_txtP |
Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen
|
topic |
tehotransistori
MOSFET
SiC
piikarbidi
kynnysjännite
säteily-ympäristö
transistorit
säteily
puolijohteet
fysiikka
|
topic_facet |
MOSFET
SiC
fysiikka
kynnysjännite
piikarbidi
puolijohteet
säteily
säteily-ympäristö
tehotransistori
transistorit
|
url |
https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/79109
http://www.urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-202112226091
|
work_keys_str_mv |
AT lahtimikko elektronisäteilynvaikutuspiikarbiditehotransistorientoimintavarmuuteen
|