Piikarbidipohjaisten tehokomponenttien säteilyvastemittauksissa käytetyn suodatinpiirin mallintaminen
Tässä työssä mallinnettiin piikarbidipohjaisten tehokomponenttien säteilynkestomittauksessa käytettyä ylipäästösuodatinpiiriä. GSI:n microbeamin säteilynkestomittauksissa estosuuntaiseen etujännitteeseen asetettuja piikarbidi- Schottky-diodeita ja MOSFETejä säteilytettiin 4.8 MeV/u Au-ioneilla, etuj...
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Muut tekijät: | , , , , , |
| Aineistotyyppi: | Pro gradu |
| Kieli: | fin |
| Julkaistu: |
2022
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/85126 |