Elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistorien toimintavarmuuteen - Lahti, Mikko (2021)
Piikarbiditehotransistorit (SiC Power MOSFET) ovat materiaaliominaisuuksiensa puolesta houkutteleva vaihtoehto piipohjaisten tehotransistorien korvaajiksi kriittisissä sovelluksissa, kuten satelliiteissa, ydinvoimaloissa ja sairaaloissa. Kaikissa näissä paikoissa esiintyy säteilyä, joka voi vaikuttaa tehotransistorin toimintavarmuuteen. Säteilyn aiheuttamia yksihiukkasvaurioita on tutkittu jo jonkin verran, mutta kokonaisionisaation aiheuttamat vauriot ovat vähemmän tutkittuja piikarbidikomponenteissa. Tässä pro gradu-tutkielmassa keskitytäänkin tutkimaan toimintavarmuutta tämän kaltaisten kumuloituvien vaurioiden kautta.