Atomikerroskasvatuksella kasvatetut oksidikalvot ja niiden siirto väliaikaiselta polymeerisubstraatilta kohdepinnalle - Manninen, Emmi (2020)
Atomikerroskasvatus eli ALD on edistyksellinen ohutkalvojen kasvatusmenetelmä, jonka periaatteellisena ideana on kasvattaa tasapaksu ohutkalvo alustalle eli substraatille nimensä mukaisesti atomikerros kerrallaan. Menetelmää käytetään laajasti mm. elektroniikan komponenttien valmistuksessa ja varsinkin viime vuosina atomikerroskasvatusta on alettu hyödyntää myös mikroelektroniikan taipuisissa komponenteissa. Nykyisissä sovelluksissa kalvon kasvatus suoritetaan yleensä suoraan kohdepinnalle, ja kasvatusta väliaikaiselle alustalle onkin tutkittu melko vähän. Tässä työssä selvitettiin, voidaanko atomikerroskasvatuksella valmistettuja ohutkalvoja käyttää siirtopintoina. Siirtopinnalla tarkoitetaan tässä yhteydessä ohutkalvoa, joka voidaan siirtää väliaikaisen substraatin päältä uudelle kohdepinnalle. Prosessissa väliaikainen substraatti hävitetään lämmön tai liuotuksen avulla. Väliaikaisina substraatteina tutkimuksessa käytettiin polymeereja ja kohdepintoina piikiekon palasta sekä Kapton-polymeeria. Tutkimus koostui oleellisesti kahdesta eri kokeellisesta osuudesta, kalvon kasvattamisesta ja sen siirrosta. Kasvatettavaksi kalvoksi valittiin sinkkioksidi, joka ei kuitenkaan sellaisenaan kasvanut kaikille polymeereille. Ongelma ratkaistiin kasvattamalla näille polymeereille sinkkioksidikerroksen alle alumiinioksidikerros. Kasvatusten jälkeinen kalvon siirto tuotti ongelmia, eikä kalvo siirtynyt onnistuneesti kummallakaan siirtotavalla kummallekaan kohdepinnalle. Syitä siirron epäonnistumiselle voisivat olla esimerkiksi liian suoraviivaiset siirtomenetelmät.