Korkeaenergisen elektronisäteilyn vaikutukset piikarbidipohjaisiin Schottky-tehodiodeihin
Piikarbidipohjaisia puolijohdekomponentteja pidetään lupaavina kandidaatteina erilaisiin teollisuuden sekä tutkimustoiminnan käyttökohteisiin ja myös niiden säteilynkesto-ominaisuudet ovat suuren kiinnostuksen kohteena. Tässä työssä tarkasteltiin STPSC1006D Schottky-tehodiodin kykyä sietää korkeaene...
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Muut tekijät: | , , , , , |
| Aineistotyyppi: | Pro gradu |
| Kieli: | fin |
| Julkaistu: |
2020
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/69996 |