Korkeaenergisen elektronisäteilyn vaikutukset piikarbidipohjaisiin Schottky-tehodiodeihin - Lepistö, Juhani (2020)
Piikarbidipohjaisia puolijohdekomponentteja pidetään lupaavina kandidaatteina erilaisiin teollisuuden sekä tutkimustoiminnan käyttökohteisiin ja myös niiden säteilynkesto-ominaisuudet ovat suuren kiinnostuksen kohteena. Tässä työssä tarkasteltiin STPSC1006D Schottky-tehodiodin kykyä sietää korkeaenergistä elektronisäteilyä ja selvitettiin, millaisen riskin tämäntyyppisille komponenteille aiheuttavat esimerkiksi Jupiterin säteilyvöiden korkeaenergiset elektronit alueelle suuntautuvan JUICE-luotainoperaation yhteydessä. Tulosten pohjalta pyrittiin arvioimaan komponentin säteilynkestoa ja vaurioiden vakavuutta sekä mahdollisia vauriomekanismeja.