20 MeV elektronisäteilyn vaikutus piikarbiditehotransistoreihin
Piikarbidi (SiC) on verrattain uusi puolijohdemateriaali, josta voidaan valmistaa kestäviä tehotransistoreja. Piikarbiditehotransistorien säteilynkestoa ei ole vielä kattavasti tutkittu, mutta raskasionitesteissä ne ovat osoittautuneet yllättävän herkiksi vaurioitumaan. Tässä opinnäytetyössä tutkin...
| Päätekijä: | |
|---|---|
| Muut tekijät: | , , , , , |
| Aineistotyyppi: | Pro gradu |
| Kieli: | fin |
| Julkaistu: |
2018
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://jyx.jyu.fi/handle/123456789/63461 |