Determination of valence and conduction band offsets at the GalnP/GaAs heterojunction

Bibliographic Details
Main Author: Lindell, Anssi
Format: Licentiate thesis
Language:eng
Published: [Jyväskylä] : 1996.
Series:Laboratory report / Department of Physics, University of Jyväskylä, 1996,1.
Online Access:https://jyu.finna.fi/Record/jykdok.609748

MARC

LEADER 00000cam a2200000ui 4500
001 609748
003 FI-J
005 20210226034041.0
008 970303s1996 fi ||||||m |||||||eng||
020 |a 951-34-0837-X  |q nidottu 
035 |a 609748 
041 0 |a eng 
080 |a 621.3 
100 1 |a Lindell, Anssi. 
245 1 0 |a Determination of valence and conduction band offsets at the GalnP/GaAs heterojunction /  |c Anssi Lindell. 
260 |a [Jyväskylä] :  |b University of Jyväskylä,  |c 1996. 
300 |a 51, [3] sivua :  |b kuvitettu ;  |c 30 cm 
336 |a teksti  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a käytettävissä ilman laitetta  |b n  |2 rdamedia 
338 |a nide  |b nc  |2 rdacarrier 
490 1 |a Laboratory report / Department of Physics, University of Jyväskylä,  |x 0357-9344 ;  |v 1996,1 
509 |a Lisensiaatintyö :  |c Jyväskylän yliopisto, fysiikan laitos.  |9 4021. 
830 0 |a Laboratory report / Department of Physics, University of Jyväskylä,  |x 0357-9344 ;  |v 1996,1. 
852 |a FI-P  |c 9616040 
999 |c 609748  |d 609748 
952 |b KANAVUORI  |c 1210  |o P 9616040  |9 1