|
|
|
|
| LEADER |
00000cam a2200000 i 4500 |
| 001 |
017972653 |
| 003 |
FI-MELINDA |
| 005 |
20220606110536.0 |
| 007 |
cr||| |||||||| |
| 008 |
210618s2021 fi |||| om |0| 0|eng|c |
| 020 |
|
|
|a 978-951-39-8726-8
|q PDF
|
| 035 |
|
|
|a FCC017972653
|
| 040 |
|
|
|a FI-J
|b fin
|e rda
|d FI-NL
|
| 041 |
0 |
|
|a eng
|b fin
|b eng
|
| 080 |
1 |
|
|a 53
|2 1974/fin/fennica
|
| 100 |
1 |
|
|a Martinella, Corinna,
|e kirjoittaja.
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Single-event radiation effects in silicon carbide power MOSFETs /
|c Corinna Martinella.
|
| 264 |
|
1 |
|a Jyväskylä :
|b University of Jyväskylä,
|c 2021.
|
| 300 |
|
|
|a 1 verkkoaineisto (xv, 109 sivua, 26 sivua useina numerointijaksoina, 5 numeroimatonta sivua) :
|b kuvitettu
|
| 336 |
|
|
|a teksti
|b txt
|2 rdacontent
|
| 337 |
|
|
|a tietokonekäyttöinen
|b c
|2 rdamedia
|
| 338 |
|
|
|a verkkoaineisto
|b cr
|2 rdacarrier
|
| 490 |
1 |
|
|a JYU dissertations,
|x 2489-9003 ;
|v 401
|
| 500 |
|
|
|a Artikkeliväitöskirjan yhteenveto-osa ja 3 eripainosta.
|
| 502 |
|
|
|a Väitöskirja :
|c Jyväskylän yliopisto, matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta, fysiikan laitos,
|d 2021.
|
| 506 |
0 |
|
|a Aineisto on vapaasti saatavissa.
|f Unrestricted online access
|2 star
|
| 588 |
0 |
|
|a Kuvailun perustana verkkoaineisto; nimeke PDF-nimiösivulta (JYX, katsottu 18.6.2021).
|
| 591 |
|
|
|i 114
|
| 591 |
|
|
|i 213
|
| 650 |
|
7 |
|a säteilyfysiikka
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p11069
|
| 650 |
|
7 |
|a ionisoiva säteily
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p459
|
| 650 |
|
7 |
|a hiukkassäteily
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p457
|
| 650 |
|
7 |
|a kosminen säteily
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p14258
|
| 650 |
|
7 |
|a avaruustekniikka
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p17376
|
| 650 |
|
7 |
|a puolijohteet
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p18256
|
| 650 |
|
7 |
|a elektroniikkakomponentit
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p9652
|
| 650 |
|
7 |
|a transistorit
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p16104
|
| 653 |
|
0 |
|a silicon carbide
|
| 653 |
|
0 |
|a power MOSFETs
|
| 653 |
|
0 |
|a radiation effects
|
| 653 |
|
0 |
|a single event effects
|
| 653 |
|
0 |
|a SELC
|
| 653 |
|
0 |
|a SEB
|
| 653 |
|
0 |
|a SEGR
|
| 653 |
|
0 |
|a latent damage
|
| 655 |
|
7 |
|a väitöskirjat
|2 slm/fin
|0 http://urn.fi/URN:NBN:fi:au:slm:s1227
|
| 655 |
|
7 |
|a e-kirjat
|2 slm/fin
|0 http://urn.fi/URN:NBN:fi:au:slm:s889
|
| 710 |
2 |
|
|a Jyväskylän yliopisto.
|b Matemaattis-luonnontieteellinen tiedekunta,
|e oppiarvon myöntävä yhteisö.
|0 (FI-ASTERI-N)000001492
|
| 776 |
0 |
8 |
|i Painettu:
|z 978-951-39-8727-5
|
| 830 |
|
0 |
|a JYU dissertations,
|x 2489-9003 ;
|v 401.
|
| 856 |
4 |
0 |
|u http://urn.fi/URN:ISBN:978-951-39-8726-8
|z JYX-julkaisuarkisto / JYX Digital Archive
|q PDF
|
| 856 |
4 |
0 |
|u http://urn.fi/URN:ISBN:978-951-39-8726-8
|y Linkki verkkoaineistoon
|
| 999 |
|
|
|c 2068099
|d 2068099
|