|
|
|
|
| LEADER |
00000cam a22000004i 4500 |
| 001 |
1116657 |
| 003 |
FI-J |
| 005 |
20210226183534.0 |
| 008 |
091217s2009 fi ||||||m |||| ||eng|c |
| 020 |
|
|
|a 978-951-39-3719-5
|q nidottu
|
| 035 |
|
|
|a FCC005659572
|
| 035 |
|
|
|a 1116657
|
| 041 |
0 |
|
|a eng
|
| 080 |
|
|
|a 54
|
| 100 |
1 |
|
|a Rinkiö, Marcus.
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Carbon nanotube memory devices with high-κ gate dielectrics /
|c by Marcus Rinkiö.
|
| 260 |
|
|
|a Jyväskylä :
|b University of Jyväskylä,
|c 2009.
|
| 300 |
|
|
|a ix, 110, [52] sivua :
|b kuvitettu ;
|c 25 cm
|
| 336 |
|
|
|a teksti
|b txt
|2 rdacontent
|
| 337 |
|
|
|a käytettävissä ilman laitetta
|b n
|2 rdamedia
|
| 338 |
|
|
|a nide
|b nc
|2 rdacarrier
|
| 500 |
|
|
|a Artikkeliväitöskirjan yhteenveto-osa ja 5 eripainosta.
|
| 502 |
|
|
|a Väitöskirja
|c Jyväskylän yliopisto, fysiikka.
|
| 530 |
|
|
|a Julkaistu myös verkkoaineistona (ISBN 978-951-39-3720-1 (PDF))
|
| 579 |
|
|
|a XLUETTELOITU
|
| 650 |
|
0 |
|a Quantum dots.
|
| 650 |
|
0 |
|a Field-effect transistors.
|
| 650 |
|
0 |
|a Hysteresis.
|
| 650 |
|
4 |
|a muistit
|
| 650 |
|
7 |
|a nanotekniikka
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p11463
|
| 650 |
|
7 |
|a mikroelektroniikka
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p10994
|
| 650 |
|
7 |
|a transistorit
|2 yso/fin
|0 http://www.yso.fi/onto/yso/p16104
|
| 653 |
|
|
|a high-κ
|
| 653 |
|
|
|a negative differential resistance
|
| 653 |
|
|
|a atomic layer deposition
|
| 830 |
|
0 |
|a Research report / Department of Physics, University of Jyväskylä,
|x 0075-465X ;
|v no. 13/2009.
|
| 852 |
|
|
|a P
|c 0213760
|
| 591 |
|
|
|i 114
|
| 999 |
|
|
|c 1116657
|d 1116657
|
| 952 |
|
|
|b KANAVUORI
|c 1210
|o P 0213760
|9 1
|